IGBT / MOSFET 的基本栅极驱动光耦合器设计
本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题...
日期：2023-10-10阅读：1005
新型 GaAs 功率肖特基二极管的电气行为
通常，硅双极二极管用于转换器中。它们的反向恢复会在硬开关电路中的二极管和相应晶体管中产生损...
日期：2023-10-10阅读：930
功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFE...
日期：2023-10-10阅读：374
MOSFET/IGBT 驱动器理论与应用
MOSFET 和 IGBT 技术 由于不存在少数载流子传输，MOSFET 可以以更高的频...
日期：2023-10-08阅读：685
半导体功率器件的无铅回流焊
无铅焊料通常是锡/银 (Sn/Ag) 焊料，或 Sn/Ag 焊料的变体。影响焊接工艺的...
日期：2023-09-27阅读：633
设计晶体振荡器
本教程重点介绍有关石英晶体的所有内容，石英晶体是电子领域最广泛使用的材...
日期：2023-09-25阅读：736
MLCC 改造，电容更高，尺寸更小
多层陶瓷电容器 (MLCC) 被广泛视为一种成熟的组件，正在经历设计和结构的快速改造，以便有效地服...
日期：2023-09-21阅读：694
功率 MOSFET、其电气特性定义
本应用笔记介绍了功率 MOSFET、其电气特性定义和使用说明。介绍了功率MOSFE...
日期：2023-09-20阅读：491
小型高压转换器？
从低输入电压产生高输出电压是小尺寸电源装置为小工具甚至高功耗机器供电的...
日期：2023-09-20阅读：436
电容器的特性
电容器的特性 电容器的等效电路模型如图 1 所示。主要元件电容具有与其并联的漏电阻，以表示...
日期：2023-09-15阅读：1323
东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。
东芝发布了其 TCTH0xxxE 多点过温报警 IC 系列的承诺扩展。 这些简单 IC（品牌为“Thermoflag...
日期：2023-09-15阅读：535
电压调节器及其相应的规格
MS Kennedy 提供多种电压调节器，可用于许多不同的应用。尽管每个产品线都有自己的优点，但它们...
日期：2023-09-14阅读：1251
GaAs 注入模式肖特基二极管
考虑到Si、SiC和GaAs的一般物理参数，SiC似乎是高频功率器件的首选材料。它可以承受最高电场，从...
日期：2023-09-06阅读：1131
所有高压 MOSFET 和 IGBT SPICE 模型都一样吗？
如果有足够的时间，大多数工程师都有正确的意图。作为一名工程师，您多久想...
日期：2023-09-06阅读：530
具有反向阻断功能的新型 IGBT
新型 IGBT 已开发出来，具有反向阻断能力。各种应用都需要此功能，例如电流...
日期：2023-08-31阅读：549
功率 MOSFET 数据表参数定义
本应用笔记介绍了 IXYS 功率 MOSFET 数据表中使用的参数定义。本文件介绍了...
日期：2023-08-31阅读：354
偏置电阻应该怎样进行计算？
运算放大器在输入为0V的时候，输出不一定为0V，可能几十uV到几mv，这个叫做运算放大器的直流偏置...
日期：2023-08-31阅读：217
一文带你了解IGBT开关过程
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的...
日期：2023-08-31阅读：244
肖特基二极管是如何进行反向恢复的
肖特基二极管以发明人肖特基博士（Schottky）命名。SBD（Schottky Barrier Diode）是肖特基势垒...
日期：2023-08-31阅读：278
Y电容容量为什么不能太大呢？
Y电容 Y电容是安规电容的一种，安规电容是指用于这样的场合：即电容器失效后，不会导致电击也...
日期：2023-08-31阅读：198
晶振选型设计必须重视的地方
几乎所有使用MCU的产品，外围电路都离不开晶振电路设计，大多数电子设计人员从入门开始都会接触...
日期：2023-08-31阅读：171
MOS管被击穿的原因及解决方案
mos管是金属（metal）—氧化物（oxide）—半导体（semiconductor）场效应晶体管，或者称是金属—...
日期：2023-08-31阅读：223
选用MOSFET作为控制开关的应用
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时...
日期：2023-08-31阅读：192
三极管用饱和Rce，而MOSFET用饱和Vds？
MOSFET和三极管，在ON 状态时，MOSFET通常用Rds，三极管通常用饱和Vce。那么是否存在能够反过来...
日期：2023-08-31阅读：206
芯片IC0.1uF的电容，这些参数是如何确定
我们在电源滤波电路上可以看到各种各样的电容，比如100uF、10uF、100nF、10nF不同的容值。那么，...
日期：2023-08-31阅读：171
详解电容！从原理、工艺结构到应用选型都齐全了！
一、电容的基本原理 电容，和电感、电阻一起，是电子学三大基本无源器件；电容的功能就是以电...
日期：2023-08-31阅读：235
金属氧化物导体场效应管的5个知识点
我们常接触到，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有...
日期：2023-08-31阅读：143
MOSFET的基本工作原理和特性
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分，一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极...
日期：2023-08-31阅读：264
如何选择及应用MOS开关管
一般情况下普遍用于高端驱动的MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的MOS管导通时...
日期：2023-08-31阅读：141
TVS二极管应用分析
一、TVS二极管简介 TVS，也就是瞬态二极管，它是一种高效能保护元器件，两极若受到反向瞬态高...
日期：2023-08-31阅读：228
