供应 IR牌子 场效应管IRF7303TRPBF 原装 *十

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

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数据列表

IRF7303TRPbF

产品相片

8-SOIC

标准包装

4,000

类别

分立半导体产品

家庭

FET -阵列

系列

HEXFET®

FET类型

2N沟道(双)

FET功能

标准

漏源*电压(Vdss)

30V

电流-连续漏*(Id)25° C时)

4.9A

不同 IdVgs时的 Rds On(*大值)

50毫欧@ 2.4A10V

不同Id时的Vgs(th)(*大值)

1V @ 250µA

不同Vgs时的栅*电荷(Qg)

25nC @ 10V

不同Vds时的输入电容(Ciss)

520pF @ 25V

功率-*大值

2W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

8-SOIC0.154"3.90mm宽)

供应商器件封装

8-SO

包装

带卷(TR)

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

IRF7303TRPBF

封装外形

SMD(SO)/表面封装

品牌/商标

IR/国际整流器

用途

MOS-ARR/陈列组件

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

漏源*电压 (Vdss)

30V

工作温度

-55°C 到 +150°C

功率 - 值

2