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供应 IR牌子场效应管IRF630NS 原装

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场效??管MOSFET N D2-PAK 200V 9.5A
晶体管*性: N沟道
电流, Id连续: 9.3A
电压, Vds*大: 200V
在电阻RDS（上）: 300mohm
电压@ Rds测量: 10V
阈值电压, Vgs th典型值: 4V
功耗, Pd: 82W
工作温度敏: -55°C
工作温度*高: 175°C
封装类型: TO-263
针脚数: 3
SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
SMD标号: IRF630NS
上升时间: 14ns
下降时间: 15ns
功率, Pd: 82W
功耗: 82W
功耗(于1平方英寸PCB): 3.8W
单脉冲雪崩能量Eas: 94mJ
外宽: 10.16mm
外部深度: 15.49mm
外*度/高度: 4.69mm
封装类型: D2-PAK
封装类型,其它: D2-PAK
工作温度范围: -55°C到 175°C
时间, trr典型值: 117ns
晶体管数: 1
*大重复雪崩能量Ear: 8.2mJ
栅*电荷Qg N沟道: 35nC
温度@电流测量: 25°C
满功率温度: 25°C
漏*电流, Id*大值: 9.3A
热阻,结点至外壳A: 1.83°C/W
电压Vgs @ Rds on测量: 10V
电压, Vds: 200V
电压, Vds典型值: 200V
电压, Vgs Rds N沟道: 10V
电压, Vgs*高: 4V
电容值, Ciss典型值: 575pF
电流, Idm脉冲: 37A
电流, Idss*大: 25µA
结温, Tj*大值: 175°C
结温, Tj*小值: -55°C
表面安装器件: SMD
通态电阻, Rds on @ Vgs = 10V: 300mohm
重复雪崩电流, Iar: 9.3A
阈值电压, Vgs th: 2V
阈值电压, Vgs th*高: 4V

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

型号/规格

IRF630NS

封装外形

SMD(SO)/表面封装

品牌/商标

IR/国际整流器

用途

MOS-FBM/全桥组件

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

在电阻RDS（上）

300mohm

功耗

82W

工作温度

-55°C 到 +175°C