供应 IR牌子 场效应管IRF8707GTRPBF 【原装】【大量现货】
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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数据列表 | IRF8707GTRPBF |
产品相片 | 8-SOIC |
标准包装 | 4,000 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | HEXFET® |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
漏源*电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏*(Id)（25° C时） | 11A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（*大值） | 11.9毫欧@ 11A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（*大值） | 2.35V @ 25µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 9.3nC @ 4.5V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 760pF @ 15V |
功率-*大值 | 2.5W |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） |
供应商器件封装 | 8-SO |
包装 | 带卷(TR) |
"
N-FET硅N沟道
*缘栅(MOSFET)
IRF8707GTRPBF
SMD(SO)/表面封装
IR/国际整流器
A/宽频带放大
N沟道
增强型
2.5W
11A
30V
