供应 IR牌子 原装：IRFB3607PBF 优势代理

IRFB3607PBF

•  场效应管MOSFET N沟道TO-220AB
•  晶体管*性: N沟道
•  电流, Id连续: 80A
•  电压, Vds*大: 75V
•  在电阻RDS（上）: 7.34mohm
•  电压@ Rds测量: 10V
•  阈值电压, Vgs th典型值: 4V
•  功耗, Pd: 140W
•  工作温度范围: -55°C到 175°C
•  封装类型: TO-220AB
•  针脚数: 3
•  SVHC(高度关注物质): No SVHC (19-Dec-2012)
•  功耗: 140W
•  封装类型: TO-220AB
•  漏*电流, Id*大值: 80A
•  电压Vgs @ Rds on测量: 10V
•  电压, Vds典型值: 75V
•  电压, Vgs*高: 20V
•  电流, Idm脉冲: 310A
•  表面安装器件: Through Hole