原装现货供应ST牌子 场效应管STW9NK90Z价格优势
地区：广东 深圳
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产品属性
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数据列表 | STW9NK90Z |
产品相片 | TO-247-3 |
其它有关文件 | STW9NK90Z View All Specifications |
标准包装 | 30 |
类别 | 分立半导体产品 |
家庭 | FET -单 |
系列 | SuperM*H™ |
包装 | 管件 |
FET类型 | MOSFET N通道，金属氧化物 |
FET功能 | 标准 |
漏源*电压(Vdss) | 900V |
电流-连续漏*(Id)（25° C时） | 8A |
不同 Id、Vgs时的 Rds On（*大值） | 1.3欧姆@ 3.6A，10V |
不同Id时的Vgs(th)（*大值） | 4.5V @ 100µA |
不同Vgs时的栅*电荷(Qg) | 72nC @ 10V |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2115pF @ 25V |
功率-*大值 | 160W |
安装类型 | 通孔 |
封装/外壳 | TO-247-3 |
供应商器件封装 | TO-247-3 |
ST/意法
STW9NK90Z
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
N-FET硅N沟道
160W
8A
900V
