供应:TOSHIBA牌子2SK3878 【原装】【优势代理】

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区新亚洲电子市场二期信科盛电子经营部

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2SK3878

制造商 Toshiba

制造商*件编号 2SK3878(F)

描述 MOSFET N-CH 900V 9A TO-*N

对无铅要求的达标情况 / 对限制有害物质指令(RoHS)规范的达标情况 无铅 / *合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

标准包装 50

类别 分离式半导体产品

家庭 FET - 单

系列 -

FET型 MOSFET N 通道,金属氧化物

FET特点 标准型

漏*至源*电压(Vdss) 900V

电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 9A

开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 1.3 欧姆 @ 4A, 10V

Id时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 1mA

闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V

输入电容 (Ciss) @ Vds 2200pF @ 25V

功率 - *大 150W

安装类型 通孔

封装/外壳 TO-*-3, SC-65-3

供应商设备封装 TO-*(N)

 

材料

N-FET硅N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

应用范围

功率

封装形式

TO-*

型号/规格

2SK3878

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

用途

MOS-INM/*组件

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

功率

150W