11A200V贴片HUF75925S3S MOSFET管N沟道TO-263原装intersil

数据列表

HUF75925D3ST

产品相片

TO-263

标准包装

2,500

类别

分立半导体产品

家庭

FET - 单

系列

UltraFET™

FET 类型

MOSFET N 通道，金属氧化物

FET 功能

逻辑电平门

漏源*电压 (Vdss)

200V

电流 - 连续漏* (Id)（25° C 时）

11A

不同 Id、Vgs 时的 Rds On（*大值）

275 毫欧 @ 11A，10V

不同 Id 时的 Vgs(th)（*大值）

4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅*电荷 (Qg)

78nC @ 20V

不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)

1030pF @ 25V

功率 - *大值

100W

安装类型

表面贴装

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63

供应商器件封装

D-Pak

包装

带卷 (TR)