供应MOS场效应17N80C3

SPA17N80C3 SPW17N80C3 SPP17N80C3英飞凌COOLMOS优惠供应

主要参数    产地：德国

SPA17N80C3  P-TO220F  800.0 V  0.29 Ohm  17.0 A  51.0 A  42.0 W

SPW17N80C3  P-TO247  800.0 V  0.29 Ohm  17.0 A  51.0 A  208.0 W

SPP17N80C3   P-TO-220   800.0V 0.29 Ohm  17.0A  51.0A  208.0W

相关介绍 

英飞凌功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术，这是一种**的工艺技术，而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术；离子注入技术与热扩散技术相比，其优点在于，离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度，精度*高，生产的器件有一个重要特点就是一致性*好，而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高，所以器件的一致性不如离子注入技术。

富利通电子主要产品：IGBT单管，IGBT模块，可控硅，场效应(MOS)管，快恢复二*管，电源IC，光耦等，是*的*比电源器件供应商。专向电焊机，焊接设备，开关电源，变频器，控制器，逆变器，照明，工*等行业提供快捷，*，贴心的服务。欢迎需要相关产品的朋友来电合作。

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