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SPP11N80C3 SPA11N80C3英飞凌COOLMOS优惠供应
主要参数 产地:德国
SPA11N80C3 P-TO220F 800.0 V 0.45 Ohm 11.0 A 33.0 A 91.0 W
SPP11N80C3 P-TO220 800.0 V 0.45 Ohm 11.0 A 33.0 A 156.0 W
英飞凌的功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术,这是一种**的工艺技术,而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术;英飞凌在这方面是**的。离子注入技术与热扩散技术相比,其优点在于,离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度,精度*高,生产的器件有一个重要特点就是一致性*好,而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高,所以器件的一致性不如离子注入技术。
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富利通电子主要产品:IGBT单管,IGBT模块,可控硅,场效应(MOS)管,快恢复二*管,电源IC,光耦等,是*的*比电子元件供应商。专向电焊机,焊接设备,开关电源,变频器,控制器,逆变器,照明,工*等行业提供快捷,*,贴心的服务。欢迎需要相关产品的朋友来电合作。
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INFINEON/英飞凌
SPP11N80C3 SPA11N80C3
结型(JFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
CER-DIP/陶瓷直插
IGBT*缘栅比*
800
800
1200