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代理经销英飞凌COOLMOS系列产品。 SPA17N80C3 SPW17N80C3 SPP17N80C3英飞凌COOLMOS优惠供应 主要参数 产地:德国 SPA17N80C3 P-TO220F 800.0 V 0.29 Ohm 17.0 A 51.0 A 42.0 W SPP17N80C3 P-TO-220 800.0V 0.29 Ohm 17.0A 51.0A 208.0W 相关介绍 英飞凌功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术,这是一种**的工艺技术,而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术;离子注入技术与热扩散技术相比,其优点在于,离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度,精度*高,生产的器件有一个重要特点就是一致性*好,而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高,所以器件的一致性不如离子注入技术。 欢迎阁下来电洽谈合作
SPW17N80C3 P-TO247 800.0 V 0.29 Ohm 17.0 A 51.0 A 208.0 W
INFINEON/英飞凌
17N80C3
结型(JFET)
N沟道
增强型
D/变频换流
N-FET硅N沟道
800(V)
800(V)
10(μS)
50(pF)
15(mA)
0.15(mW)