供应英飞凌*童原装MOS管 11N60

代理经销SPP11N60C3 SPA11N60C3英飞凌MOS管价格优惠

主要参数    产地：德国

SPP11N60C3:COOLMOS 11A 600V 0.38ohm 120W TO220
SPA11N60C3:COOLMOS 11A 600V 0.38ohm 33W TO220

英飞凌的功率芯片的生产工艺采用了离子注入技术，这是一种**的工艺技术，而世界上的其他半导体厂商用的工艺仍然是热扩散技术；英飞凌在这方面是**的。离子注入技术与热扩散技术相比，其优点在于，离子注入技术可以很好地控制半导体扩散到硅基板中的浓度和厚度，精度*高，生产的器件有一个重要特点就是一致性*好，而旧的离子扩散技术由于温度控制的精度很难做得很高，所以器件的一致性不如离子注入技术。