FAIRCHILD*童IGBT管 FGL60N100BNTDTU *原装

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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制造商:  Fairchild Semiconductor   
 
产品种类:  IGBT 晶体管   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
集电*—发射**大电压 VCEO:  1000 V   
 
集电*—射*饱和电压:  1.5 V   
 
栅*/发射**大电压:  +/- 25 V   
 
Continuous Collector Current at 25 C:  60 A   
 
栅*—射*漏泄电流:  +/- 500 nA   
 
功率耗散:  180 W   
 
*大工作温度:  + 150 C   
 
封装 / 箱体:  TO-264-3   
 
封装:  Tube   
 
集电**大连续电流 Ic:  60 A  
 
*小工作温度:  - 55 C  
 
安装风格:  Through Hole  
 
Standard Pack Qty:  25  
 
*件号别名:  FGL60N100BNTDTU_NL  
 

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

FGL60N100BNTDTU

材料

ALGaAS铝镓砷

用途

MOS-INM/*组件

品牌/商标

FAIRCHILD/*童

沟道类型

N沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

增强型