专营*童场效应管 FQP4N90C
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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制造商: Fairchild Semiconductor
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 4.2 Ohms
正向跨导 gFS(*大值/*小值) : 5 S
汲*/源*击穿电压: 900 V
闸/源击穿电压: +/- 30 V
漏*连续电流: 4 A
功率耗散: 140 W
*大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
FAIRCHILD/*童
FQP4N90C
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
L/功率放大
CER-DIP/陶瓷直插
ALGaAS铝镓砷
33(V)
33(V)
33(μS)
33(pF)
33(dB)
33(mA)
33(mW)