原装场效应管 IRFS4229PBF D2-Pak

地区:广东 深圳
认证:

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原装正品场效应管 IRFS4229PBF  D2-Pak

原装正品场效应管 IRFS4229PBF  D2-Pak

 IRFS4229PBF产品规格  参数

 

 

Datasheets IRFS4229PBF
 
Product Photos D2PAK, TO-263
 
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products 
Family FETs - Single 
Series HEXFET®
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
 
FET Feature Standard
 
Rds On (Max) @ Id, Vgs 48 mOhm @ 26A, 10V
 
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
 
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 45A
 
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA
 
Gate Charge (Qg) @ Vgs 110nC @ 10V
 
Input Capacitance (Ciss) @ Vds  4560pF @ 25V
 
Power - Max 330W
 
Mounting T*e Surface Mount
 
Package / Case TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
 
Supplier Device Package D2PAK
 
Packaging Tube
 

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品牌

IR/国际整流器

型号

IRFS4229PBF

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MW/微波

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

33(V)

夹断电压

22(V)

跨导

33(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

33(mA)

耗散功率

44(mW)