供应原装IRFB31N20 IR三*管

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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【IR优势供应场效应管系列】IRFB31N20DPBF  FB31N20D

 

【IR优势供应场效应管系列】IRFB31N20DPBF  FB31N20D

 

IRFB31N20DPBF  FB31N20D产品规格  参数

 

Datasheets IRFB31N20DPbF, IRFS(L)31N20DPbF
Product Photos TO-220AB PKG
Catalog Drawings IR Hexfet TO-220AB
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series HEXFET®
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 200V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 31A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 82 mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 5.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 107nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 2370pF @ 25V
Power - Max 3.1W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-220-3
Supplier Device Package TO-220AB
Packaging Tube
Catalog Page 1297 (US2011 Interactive)
1297 (US2011 PDF)
Other Names *IRFB31N20DPBF

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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFB31N20DPBF FB31N20D

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

NF/音频(低频)

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

SIT静电感应

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)