TOSHIBA*原装场效应管 2SK2967 K2967

地区:广东 深圳
认证:

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TOSHIBA*原装场效应管 2SK2967  K2967

 

 

 

TOSHIBA*原装场效应管 2SK2967  K2967

 

2SK2967  K2967产品规格  参数

 

Datasheets 2SK2967
Mosfets Prod Guide
Product Photos 2SK2967(F)
Standard Package 50
Category Discrete Semiconductor Products
Family FETs - Single
Series -
FET T*e MOSFET N-Channel, Metal Oxide
FET Feature Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 250V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25° C 30A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 68 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id 3.5V @ 1mA
Gate Charge (Qg) @ Vgs 132nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) @ Vds 5400pF @ 10V
Power - Max 150W
Mounting T*e Through Hole
Package / Case TO-*-3, SC-65-3
Supplier Device Package TO-*(N)
Packaging Tube

品牌

TOSHIBA/东芝

型号

2SK2967 K2967

种类

结型(JFET)

沟道类型

P沟道

导电方式

耗尽型

用途

MW/微波

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

*肖特基势垒栅

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

2(mW)