ON原装 *RB8H100T4G 丝印打字 B8H100G

地区:广东 深圳
认证:

结型场效应管 深圳市福田区宏诚辉电子商行

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*RB8H100T4G  产品规格 参数  PDF

 *RB8H100T4G
产品相片 TO-263
标准包装 1
类别 分立半导体产品
家庭 单二*管/整流器
系列 SWITCHMODE™
二*管类型 肖特基
电压 - DC 反向 (Vr)(*大值) 100V
电流 - 平均整流 (Io) 8A
不同 If 时的电压 - 正向 (Vf) 710mV @ 8A
速度 * =< 500 ns,> 200mA(Io)
反向恢复时间 (trr) -
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流 4.5µA @ 100V
不同 Vr、F 时的电容 600pF @ 4V,1MHz
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
供应商器件封装 D2PAK
包装 Digi-Reel®
其它名称 *RB8H100T4GOSDKR

"
封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

*RB8H100T4G

材料

GaAS-FET砷化镓

用途

MOS-FBM/全桥组件

品牌/商标

ON/安森美

沟道类型

N沟道

种类

结型(JFET)

导电方式

耗尽型