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IHW30N160R2 H30R1602产品规格 参数
数据列表 IHW30N160R2
产品相片 TO-247 Pkg
标准包装 240
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 TrenchS*™
IGBT 类型 NPT、沟道和场截止
电压 - 集电*发射*击穿(*大) 1600V
Vge, Ic时的*大Vce(开) 2.1V @ 15V, 30A
电流 - 集电* (Ic)(*大) 60A
功率 - *大 312W
输入类型 标准型
安装类型 通孔
封装/外壳 TO-247-3
供应商设备封装 PG-TO247-3
包装 管件
其它名称 SP
INFINEON/英飞凌
IHW30N160R2 H30R1602
结型(JFET)
N沟道
耗尽型
MW/微波
CER-DIP/陶瓷直插
*肖特基势垒栅
22(V)
22(V)
22(μS)
22(pF)
22(dB)
22(mA)
22(mW)