*原装IGBT单路 场效应管 IHW30N160R2 H30R1602

地区:广东 深圳
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*原装IGBT单路 场效应管 IHW30N160R2  H30R1602

 

*原装IGBT单路 场效应管 IHW30N160R2  H30R1602

 

IHW30N160R2  H30R1602产品规格  参数

 

数据列表 IHW30N160R2
 
产品相片 TO-247 Pkg
 
标准包装 240
类别 分离式半导体产品
家庭 IGBT - 单路
系列 TrenchS*™
IGBT 类型 NPT、沟道和场截止
 
电压 - 集电*发射*击穿(*大) 1600V
 
Vge, Ic时的*大Vce(开) 2.1V @ 15V, 30A
 
电流 - 集电* (Ic)(*大) 60A
 
功率 - *大 312W
 
输入类型 标准型
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-247-3
 
供应商设备封装 PG-TO247-3
 
包装 管件
 
其它名称 SP
 

品牌

INFINEON/英飞凌

型号

IHW30N160R2 H30R1602

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MW/微波

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

*肖特基势垒栅

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)