ST*原装 STW25NM60N W25NM60N 库存现货供应

地区:广东 深圳
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ST*原装 STW25NM60N  W25NM60N  原装*热卖

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STW25NM60N  W25NM60N产品规格  参数

 

数据列表 STx25NM60ND
 
产品相片 TO-247 Pkg
 
产品目录绘图 ST Series TO-247
 
标准包装 30
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 FDmesh™
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 逻辑电平门
 
漏*至源*电压(Vdss) 600V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 21A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 160 毫欧 @ 10.5A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 5V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 80nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  2400pF @ 50V
 
功率 - *大 160W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-247-3
 
供应商设备封装 TO-247-3
 
包装 管件
 
产品目录页面 1541 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 497-8455-5
 

品牌

ST/意法

型号

STW25NM60N W25NM60N

种类

结型(JFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

MOS-TPBM/三相桥

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

*肖特基势垒栅

开启电压

22(V)

夹断电压

22(V)

跨导

22(μS)

*间电容

22(pF)

低频噪声系数

22(dB)

漏*电流

22(mA)

耗散功率

22(mW)