IR MOSFET IRF640NPBF
地区：上海
认证：
无
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产品属性
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| Parameter | Value |
| Package | TO-220AB |
| Circuit | Discrete |
| VBRDSS (V) | 200 |
| VGs Max (V) | 20 |
| RDS(on) Max 10V (mOhms) | 150.0 |
| ID @ TC = 25C (A) | 18 |
| ID @ TC = 100C (A) | 13 |
| Qg T* (nC) | 44.7 |
| Qgd T* (nC) | 22.0 |
| Rth(JC) (K/W) | 1.00 |
| Power Dissipation @ TC = 25C (W) | 150 |
| Part Status | Active |
| Environmental Options Available | PbF and Leaded |
| Package Cl* Can | Thru-Hole |
IR/国际整流器
IRF640NPBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
L/功率放大
N-FET硅N沟道
na（V）
na（V）
na（μS）
na（pF）
na（dB）
na（mA）
na（mW）
