IR IRF2807PBF MOSFET
地区：上海
认证：
无
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产品属性
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| Parameter | Value |
| Package | TO-220AB |
| Circuit | Discrete |
| VBRDSS (V) | 75 |
| VGs Max (V) | 20 |
| RDS(on) Max 10V (mOhms) | 13.0 |
| ID @ TC = 25C (A) | 82 |
| ID @ TC = 100C (A) | 58 |
| Qg T* (nC) | 106.7 |
| Qgd T* (nC) | 36.7 |
| Rth(JC) (K/W) | 0.75 |
| Power Dissipation @ TC = 25C (W) | 200 |
| Part Status | Active |
| Environmental Options Available | PbF and Leaded |
| Package Cl* Can | Thru-Hole |
建议使用IRFB3607PBF.
IR/国际整流器
IRF2807PBF
*缘栅(MOSFET)
N沟道
增强型
N/A（V）
N/A（V）
N/A（μS）
N/A（pF）
N/A（dB）
N/A（mA）
N/A（mW）
