N沟MOSF管IRF510S

TO-263(D2-PAK) 

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

IRF510SPBF

D2PAK, TO-263

1,000

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

540 毫欧 @ 3.4A, 10V

100V

5.6A

4V @ 250µA

8.3nC @ 10V

180pF @ 25V

3.7W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB

管件

D2PAK

12V-400V, N沟MOSFET