N沟MOSF管SI9410DY

SO8, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

SI9410DY

8-SOIC

2,500

分离式半导体产品

FET - 单路

TrenchMOS™

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

30 毫欧 @ 7A, 10V

30V

-

1V @ 250µA

50nC @ 10V

-

2.5W

表面贴装

8-SOIC（0.154", 3.90mm 宽）

8-SO

带卷 (TR)

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