N沟MOSF管IRFR3410

地区:广东 深圳
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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面
IRFR3410PbF, IRFU3410PbF
IRFR3410TRLPBF
D Pak Side
3,000
分离式半导体产品
MOSFET,GaNFET - 单
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
39 毫欧 @ 18A, 10V
100V
4V @ 250µA
56nC @ 10V
31A
1690pF @ 25V
3W
表面贴装
DPak, SC-63,TO-252(2引线 接片)
带卷 (TR)
1376 (CN091-10 PDF
"
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFR3410

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

CC/恒流

封装外形

CHIP/小型片状

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

100(V)

夹断电压

100(V)

*间电容

1690(pF)

漏*电流

3100(mA)

耗散功率

3000(mW)