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N沟MOSF管IRF1010NS

地区：广东 深圳
认证： 无

深圳市金广顺科技有限公司

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TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳
IRF1010N(S,L)PbF
D2PAK, TO-263
800
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道，金属氧化物
标准型
11 毫欧 @ 43A, 10V
55V
85A
4V @ 250µA
120nC @ 10V
3210pF @ 25V
180W
表面贴装
TO-263-3, D²Pak (2 引线+接片), TO-263AB
"
品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF1010NS

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

55（V）

夹断电压

4（V）

跨导

11（μS）

*间电容

1（pF）

低频噪声系数

1（dB）

漏*电流

25（mA）

耗散功率

10（mW）