分销IR全系列场效应管增强型MOS管N沟道 IRFBG30 IRFBG30PBF

品牌/商标	IR美国国际整流器公司	型号/规格	IRFBG30PBF
种类	*缘栅(MOSFET)	沟道类型	N沟道
导电方式	增强型	用途	VA/场输出级
封装外形	CER-DIP/陶瓷直插	材料	GE-N-FET锗N沟道
开启电压	1000（V）	夹断电压	500（V）
*间电容	980（pF）	大漏电流	3.1（mA）
*大耗散功率	125（mW）

IRFBG30PBF

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

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Vishay/Siliconix

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

5 欧姆 @ 1.9A, 10V

1000V (1kV)

3.1A

4V @ 250µA

80nC @ 10V

980pF @ 25V

125W

通孔

TO-220-3

管

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称

IRFBG30

TO-220AB PKG

IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2

1,000

分离式半导体产品

FET - 单路

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