标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳供应商设备封装包装

50

分离式半导体产品

FET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

100V

97A

9 毫欧 @ 58A, 10V

4V @ 150µA

120nC @ 10V

4820pF @ 50V

230W

通孔

TO-220-3

TO-220AB

管件

深圳 科顺龙电子

INTERNATIONAL RE*IFIER - IRFB4410ZPBF - 场效应管 MOSFET N 100V TO-220AB

 

 

          晶体管*性:ñ频道

• 电流, Id 连续:97A
• 电压, Vds *大:100V
• 在电阻RDS（上）:9mohm
• 电??? @ Rds测量:20V
• 阈值电压, Vgs th 典型值:4V
• 功耗, Pd:230W
• 封装类型:TO-220AB
• 针脚数:3
• SVHC(高度关注物质):No SVHC (19-Dec-2011)
• 功率, Pd:230W
• 功耗:230mW
• 器件标号:4410
• 封装类型:TO-220AB
• 栅*电荷 Qg N沟道:83nC
• 漏*电流, Id *大值:96A
• 电压 Vgs @ Rds on 测量:10V
• 电压, Vds 典型值:100V
• 电压, Vgs *高:4V
• 电流, Idm 脉冲:390A
• 表面安装器件:通孔安装
• 阈值电压, Vgs th :2V
• 阈值电压, Vgs th *高:4V