IR场效应管 IRF820PBF IRF820 IRF840PBF IRF840 原装

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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称
IRF820PBF
TO-220AB PKG
IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
1,000
分离式半导体产品
FET - 单路
-
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
3 欧姆 @ 1.5A, 10V
500V
2.5A
4V @ 250µA
24nC @ 10V
360pF @ 25V
50W
通孔
TO-220-3
管件
TO-220AB
1483 (CN2010-11 Interactive)
1483 (CN2010-11 PDF)
*IRF820PBF





IRF840MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB-Vishay/SiliconixMOSFET N 通道,金属氧化物标准型850 毫欧 @ 4.8A, 10V500V8A4V @ 250µA63nC @ 10V1300pF @ 25V125W通孔TO-220-3管件
科顺龙电子商行主要经销的产品有:场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。
优势品牌热卖:IR(国际整流器),VISHAY(威世),ST(意法半导体),ON(安森美半导体)。
                       ATMEL  FRE*CALE  MICROCHIP(微芯代理全系列货源)  
热卖场效应管系列:IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP264,IRFP450,IRFP460,IRFP460A,IRFBE30,*R20100*K,8ETH06,15ETH06,IRFP150,
IRFP350,IRFP360,IRD120,IRFP460LC,IRFP054N,IRFP064N,IR2520D
主要用于:
1、HID照明:
IRFZ44N、IRF840、IRF540N、HFA08TB60(8ETH06)、IRF3205、IRF3710、MC34063(ON)、MUR860(ON)。
2、电机控制器:
IRF1010E、IRF2807、IR2103S、STP75NF75(ST)、STP60NF06(ST)。
3、UPS:
IRF2807、IRF1010E、IRF640N、IRF730、IRF740、IRF3205、IRF3710、IRFP264、IRFP460、IRFBG30、IRFZ44N。
4、功放/舞台设备:
IRFZ44N、IRFP250N、IRF9530N、IRFP460。
5、整流器/*灯:
IRF830、IRF840、IRF730、IRF740、IR2153、IR2153S、IRF1010E。
6、电焊机:
IRFP460、IRFP260N、IRF9Z34N、IRFZ34N。
7、供应IR,ST,ON等上百种型号,有需求请来电咨询。
IR2104S、IRL3803STR、IRLML6302TR、IRFR120NTR、IR2110、11DQ10PBF、IRFP350、30CPQ100、IRFP460A、
IRFP460LC、IRF7314TR、IRF7313TR、IRFD120、IRFP054N、IRFP064N、IRFP9240、IRFZ24N、IRF2520D、
IRF530N、VIPER12A(ST)、VIPER22A(ST)、STP55NFO6、*R20100*K、IRFZ34N、IRF9610。
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·公司名称:   深圳科顺龙电子商行
·  :   彭先生
·    :   0755
·Fax     :   0755
·Q Q     :   691114130
·M S N   :ksldz.
·    :
·地址    :   深圳市高科德交易中心12318
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品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRF820PBF IRF820 IRF840PBF IRF840

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

MOS-INM/*组件

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

10(V)

*间电容

360(pF)

漏*电流

2.5(mA)

耗散功率

50(mW)