分销IR全系列场效应管原装现货长期 IRFBG30 IRFBG30PBF

IRFBG30PBF

MOSFET N-CH 1000V 3.1A TO-220AB

-

Vishay/Siliconix

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

5 欧姆 @ 1.9A, 10V

1000V (1kV)

3.1A

4V @ 250µA

80nC @ 10V

980pF @ 25V

125W

通孔

TO-220-3

管

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称

IRFBG30

TO-220AB PKG

IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2

1,000

分离式半导体产品

FET - 单路

-

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

5 欧姆 @ 1.9A, 10V

1000V (1kV)

3.1A

4V @ 250µA

80nC @ 10V

980pF @ 25V

125W

通孔

TO-220-3

管件

TO-220AB

1483 (CN2010-11 Interactive)
1483 (CN2010-11 PDF)

*IRFBG30PBF

品牌/商标

IR/国际整流器

型号/规格

IRFBG30PBF

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

VA/场输出级

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

1000（V）

夹断电压

500（V）

*间电容

980（pF）

漏*电流

3.1（mA）

耗散功率

125（mW）

分销IR全系列场效应管 原装现货 长期供应 IRFBG30 IRFBG30PBF

分销IR全系列场效应管原装现货长期供应 IRFBG30 IRFBG30PBF