2SK3878 K3878 场效应管 TOSHIBA东芝 9A900V *原装

地区:广东 深圳
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数据列表 2SK3878
标准包装 50
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 900V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 9A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 1.3 欧姆 @ 4A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 1mA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 60nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  2200pF @ 25V
 
功率 - *大 150W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-*-3, SC-65-3
 
供应商设备封装 TO-*(N)
 
包装 散装



本科顺龙公司为日本富士电机半导体(FUJI ELE*RIC)之香港和中国区的代理商。常用型号有:一:2SD1071 (6A 450V 40W TO-220)汽车点火器;二:2S242 (7A 450V 40W TO-220AB)开关电源200W 三:2SC2625 (10A 450V 80W TO-*) 开关电源250W 四:2SC5679 (10A 450V 80W TO-220) 开关电源250W 五:2SC3320 (15A 500V 80W TO-*) 开关电源330W 六:2SC3866 ( 3A 800V 40W TO-220)ATX辅助电源用七:2SK2645 (9A 600V 50W TO-220F15)彩显开关电源八:2SK2850 (6A 900V 125W TO-*)背投显示电源用九:肖特基C82-004(10A/40V/TO220)配开关电源200W 十:肖特基D83-004(30A/40V/TO*) 配开关电源330W 十一:快速C92-02(10A/200V/TO22O)配开关电源200W

 

 

科顺龙电子商行主要经销的产品有:精密电位器,场效应管,电源控制IC,IGBT,MCU单片机,LCD驱动IC等等。
代理分销优势品牌热卖:BOURNS BI VISHAY TOCOS (邦士精密电位器)IR(国际整流器)
FRE*CALE  MICROCHIP(微芯代理全系列货源) 热卖场效应管系列:IRF540N,IRF630N,IRF640N,IRF730,IRF740,IRF830,IRF840,IRF9530N,IRF9540N,IRF9630,IRF9640,IRF9Z24N,IRF9Z34N,IRFZ24N,IRFZ34N,IRFZ44N,IRFZ48N,IRFP150N,IRFP250N,IRFP260N,IRFP264,IRFP450,IRFP460,IRFP460A,IRFBE30,*R20100*K,8ETH06,15ETH06,IRFP150,
IRFP350,IRFP360,IRD120,IRFP460LC,IRFP054N,IRFP064N,IR2520D
主要用于:
1、HID照明:
IRFZ44N、IRF840、IRF540N、HFA08TB60(8ETH06)、IRF3205、IRF3710、MC34063(ON)、MUR860(ON)。
2、电机控制器:
IRF1010E、IRF2807、IR2103S、STP75NF75(ST)、STP60NF06(ST)。
3、UPS:
IRF2807、IRF1010E、IRF640N、IRF730、IRF740、IRF3205、IRF3710、IRFP264、IRFP460、IRFBG30、IRFZ44N。
4、功放/舞台设备:
IRFZ44N、IRFP250N、IRF9530N、IRFP460。
5、整流器/*灯:
IRF830、IRF840、IRF730、IRF740、IR2153、IR2153S、IRF1010E。
6、电焊机:
IRFP460、IRFP260N、IRF9Z34N、IRFZ34N。
7、供应IR,ST,ON等上百种型号,有需求请来电咨询。
IR2104S、IRL3803STR、IRLML6302TR、IRFR120NTR、IR2110、11DQ10PBF、IRFP350、30CPQ100、IRFP460A、
IRFP460LC、IRF7314TR、IRF7313TR、IRFD120、IRFP054N、IRFP064N、IRFP9240、IRFZ24N、IRF2520D、
IRF530N、VIPER12A(ST)、VIPER22A(ST)、STP55NFO6、*R20100*K、IRFZ34N、IRF9610。
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品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

2SK3878 K3878

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

L/功率放大

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

900(V)

夹断电压

900(V)

跨导

25(μS)

*间电容

2200(pF)

低频噪声系数

25(dB)

漏*电流

9(mA)

耗散功率

150(mW)