原装长期现货供应 STP80NF70 (代替STP75NF75)

地区:广东 深圳
认证:

彭志毫

普通会员

全部产品 进入商铺
数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装其它名称
STP80NF70
t820t-6i
50
分离式半导体产品
FET - 单路
STripFET™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
9.8 毫欧 @ 40A, 10V
68V
98A
4V @ 250µA
75nC @ 10V
2550pF @ 25V
190W
通孔
TO-220-3
管件
TO-220AB
497-10964-5
数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装产品目录页面其它名称
ST(B,P)75NF75(FP)
TO-220 Pkg
ST Series TO-220
50
分离式半导体产品
FET - 单路
STripFET™
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
11 毫欧 @ 40A, 10V
75V
80A
4V @ 250µA
160nC @ 10V
3700pF @ 25V
300W
通孔
TO-220-3
管件
TO-220AB
1491 (CN2010-11 Interactive)
1491 (CN2010-11 PDF)
497-2788-5
"
品牌/商标

ST/意法

型号/规格

STP80NF70

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

S/开关

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

开启电压

68(V)

夹断电压

10(V)

*间电容

2550(pF)

漏*电流

98(mA)

耗散功率

190(mW)