1N60 DG1N60 WFF1N60 MOS 场效应管*
地区：广东 东莞
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提供TO-220 TO-220F TO-92 TO-252 封装
| DG1N60 VDMOS power transistor Absolute maximum ratings ( Tamb=25oC) | Parameter | Symbol | Rating value | Unit |
| drain current ( continuous ) | ID | 1 | A | |
| drain source voltage | VGS | &plu*n;30 | V | |
| drain current ( pulsed ) | IDM | 4.8 | A | |
| thermal resistance （junction case ) | RθJC | 3.13 | ℃/W | |
| dissipated power Tc=25oC | Ptot | 40 | W | |
| junction temperature | Tj | -55 to 150 | ℃ | |
| storage temperature | Tstg | -55 to 150 | ℃ |
| DG1N60 VDMOS power transistor Electricalcharacteristics ( Tamb=25oC) | Parameter | Symbol | Test conditions | Value | Unit | |
MIN | *R | MAX | ||||
| D-S voltage | VDSS | VGS=0V, ID=250μA | 600 | V | ||
| D-S on resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=0.6A | 9.3 | 11.5 | Ω | |
| gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS, ID=250μA | 2 | 4 | V | |
| S-D leakage current | IDSS | VDS=600V, VGS=0V | 10 | μA | ||
| G-S leakage current | IGSS | VGS= 30V | &plu*n;100 | nA | ||
| transconductance | gfs | VDS=50V, ID=0.6A | 0.9 | S | ||
| input capacitance | Ciss | VGS=0V, VDS=25V, f=1.0mHz | 120 | 150 | pF |
东光/DG 1N60
*缘栅MOSFET
CHOP/斩波、限幅
P-DIT/塑料双列直插
N-FET硅N沟道
30（V）
2-4（V）
0.9（μS）
120（pF）
0.1（dB）
1000（mA）
4000（mW）
N沟道
增强型
