9N60 DG9N60 MOS 场效应管 *销售

地区:广东 东莞
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品牌/商标 DG 东光 型号/规格 9N60 DG9N60
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 SW-REG/开关电源
封装外形 CER-DIP/陶瓷直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 30(V) 夹断电压 2-4(V)
跨导 10(μS) *间电容 1100(pF)
低频噪声系数 0.1(dB) *大漏*电流 9000(mA)
*大耗散功率 147000(mW)