11N60 DG11N60 大功率开关电源MOS 场效应管

Features :   High input resistance and low drive current
              Sound temperature characteristic
              Fast switching speed
              Easy to increase current capacity by parallel wayMajor
Applications :Power switching circuit and power amplification circuit

DG11N60 VDMOS power transistor Absolute maximum ratings ( Tamb=25oC)	Parameter	Symbol	Rating value	Unit
	drain current ( continuous )	I_D	11	A
	drain source voltage	V_GS	&plu*n;30	V
	drain current ( pulsed )	I_DM	33	A
	thermal resistance （junction case )	R_θJC	1	℃/W
	dissipated power Tc=25oC	P_tot	175	W
	junction temperature	T_j	-55 to 150	℃
	storage temperature	T_stg	-55 to 150	℃

DG11N60 VDMOS power transistor Electrical characteristics ( Tamb=25oC)	Parameter	Symbol	Test conditions	Value			Unit
	Parameter	Symbol	Test conditions	MIN	*R	MAX	Unit
	D-S voltage	V_DSS	V_GS=0V, I_D=250μA	600			V
	D-S on resistance	R_DS(on)	V_GS=10V, I_D=5.5A		0.32	0.38	Ω
	gate threshold voltage	V_GS(th)	V_DS=V_GS, I_D=250μA	2		4	V
	S-D leakage current	I_DSS	V_DS=600V, V_GS=0V			10	μA
	G-S leakage current	I_GSS	V_GS= 30V			&plu*n;100	nA
	transconductance	g_fs	V_DS=50V, I_D=5.5A		9.7		S
	input capacitance	C_iss	V_GS=0V, V_DS=25V, f=1.0mHz		1148	1490	pF

品牌/型号

DG 东光/11N60 DG11N60

种类

*缘栅MOSFET

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

2-4（V）

跨导

10（μS）

*间电容

1148（pF）

低频噪声系数

0.1（dB）

漏*电流

11000（mA）

耗散功率

175000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型