产品详情

1N60 DG1N60 WFF1N60 MOS 场效应管*

地区：广东 东莞
认证： 无

东莞市凤岗四海通电子经营部

普通会员

全部产品 进入商铺
品牌/商标 东光 型号/规格 DG 1N60
种类 *缘栅(MOSFET) 沟道类型 N沟道
导电方式 增强型 用途 CHOP/斩波、限幅
封装外形 P-DIT/塑料双列直插 材料 N-FET硅N沟道
开启电压 30（V） 夹断电压 2-4（V）
跨导 0.9（μS） *间电容 120（pF）
低频噪声系数 0.1（dB） *大漏*电流 1000（mA）
*大耗散功率 4000（mW）