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10N60 DG10N60 电源开关MOS 场效应管 *销售

地区：广东 东莞
认证： 无

东莞市凤岗四海通电子经营部

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Features :   High input resistance and low drive current
              Sound temperature characteristic
              Fast switching speed
              Easy to increase current capacity by parallel wayMajor
Applications :Power switching circuit and power amplification circuit

DG10N60 VDMOS  power transistor
Absolute maximum ratings 
( Tamb=25oC)
品牌

DG 东光

型号

10N60 DG10N60

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

SW-REG/开关电源

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

30（V）

夹断电压

2-4（V）

跨导

10（μS）

*间电容

1570（pF）

低频噪声系数

0.1（dB）

漏*电流

9500（mA）

耗散功率

156000（mW）