原装场效应管,KIA1N60,BLV1N60A,BLV1N60,1N60

产品型号:KIA1N60
1.描述:
KIA1N60H是N-沟道增强型硅栅功率MOSFET,专为高电压，高速功率开关应用，如开关稳压器，开关转换器，电磁阀，电机驱动器，继电器驱动器。

2。特点:
 * 1A，600V，RDS（ON）=11.5Ω@ VGS= 10 V
 * 低栅极电荷（typ.5.0nC）
 * 高耐用性
 * 快速开关能力
 * 指定的雪崩能量
 * 改进dv/dt能力

封装:TO-92

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):0.3

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):11.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):1

输入电容Ciss(PF):120 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):33

导通延迟时间Td(on)(ns):7 typ.

上升时间Tr(ns):21 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):130 typ.

下降时间Tf(ns):27 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,0.3A N-沟道增强型场效应晶体管

产品型号:BLV1N60
1.描述
这种先进的高电压MOSFET,采用上海贝岭的专有的DMOS技术。专为高效率开关模式电源。

2。特点
 * 雪崩能量
 * 快速开关
 * 简单的驱动要求

封装:TO-92

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):0.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):15 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):3

输入电容Ciss(PF):105 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：0.8

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):3.5

导通延迟时间Td(on)(ns):30

上升时间Tr(ns):60

关断延迟时间Td(off)(ns):45

下降时间Tf(ns):75

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,0.5A N-沟道增强型场效应晶体管

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