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产品属性
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产品型号:AP60T03GH
封装:SOT-252/DPAK
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):45
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.012 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):44
极间电容Ciss(PF):1135
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):25
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
温度(℃): -55 ~175
描述:30V,45A N-channel MOSFET
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3、:4006262666
4、Q
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45A
SMD(SO)/表面封装
AP60T03GH,MOS,30V,45A,0.012Ω AP60T03H,MOS,30V,45A,0.012Ω,252
P-FET硅P沟道
AP/富鼎
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
20
增强型
1820
供应 场效应管 BSZ088N03,088N03M,BSZ088N03MSG
供应 场效应管 P4532VG ,AP4532M,4532M
供应 场效应管 AP2761I-A,2761I,AP2761I
供应 场效应管 2SK2623,2SK2623A-MG-E,K2623
供应 场效应管 SSM6K204FE SSM6K203FE
供应 场效应管 BSC252N10NSFG,252N10NS,BSC252N10
供应 场效应管 CEM9410,IRF9410,NDS9410A
供应 IGBT FGH60N60SFD,FGH60N60,N513
供应 场效应管 CMU06N03,CMU04N03L,CMU1653
供应 场效应管 SSM6J501NU SSM6J503NU SSM6J505NU