供应 场效应管 2SK2623,2SK2623A-MG-E,K2623

2SK2623A-MG-E,TO-251,DIP/MOS,N场,600V,1.5A,5.5Ω

产品型号:2SK2623
特点:
 * 低导通电阻。
 * 低Qg。

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):1.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):5.5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):5.5

功率PD(W):30

输入电容Ciss(PF):300 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：1

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):9 typ.

上升时间Tr(ns):12 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):20 typ.

下降时间Tf(ns):17 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,1.5A N-沟道增强型场效应晶体管

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