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产品属性
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产品型号:TK75A06K3
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):75
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):4500
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):103
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,75A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS IV)
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3、:4006262666
4、Q
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P-DIT/塑料双列直插
TK75A06K3,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,75A,0.0055Ω
N-FET硅N沟道
S/开关
TOSHIBA/东芝
N沟道
绝缘栅(MOSFET)
增强型
供应 场效应管 FCPF13N60NT,FCPF13N60
供应 场效应管 BSC050NE2LS,050NE2LS
供应 场效应管 FDPF10N50FT 10N50
供应 场效应管 AP80N03S ,AP80N03,80N03S
供应 场效应管 FQP13N06,CEP4060AL,CEP6060
供应 场效应管 BSC020N025,BSC020N025SG,20N025S
供应 场效应管 BSC016N03,016N03LS,BSC016N03LSG
供应 场效应管 FQP10N60,FQP10N60C,FDP10N60,10N60
供应 场效应管 SSM3K44FS SSM3K15AFS
供应 场效应管 CMB80N70,CMB80N06