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产品属性
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产品型号:TK75A06K3
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):75
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0055 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):35
极间电容Ciss(PF):4500
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):103
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,75A MOSFETs Silicon N-channel MOS (U-MOS IV)
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TK75A06K3,TO-220F,DIP/MOS,N场,60V ,75A,0.0055Ω
TOSHIBA(东芝)
TO-220F
无铅环保型
直插式
2500/盒
供应 场效应管 SI7658ADP,Si7192DP
供应 场效应管 CEP840G , CEP840
供应 场效应管 AP01L60J,01L60J
供应 场效应管 SSS6N60,SSS6N60B,SSS6N60A
供应 场效应管 TK150F04K3 K150F04K3
供应 场效应管 CEB8030L,CEB71A3,CEB8030
供应 场效应管 FQPF4N20,FQPF32N20,FQPF4N20L
供应 场效应管 BSZ076N06NS3G,076N06N
供应 场效应管 TK12A55D,K12A55D,TK12A55
供应 场效应管 AP4435GJ,AP4435,4435GJ