MDP4N60TH

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  广泛应用于电动车,电源工具,汽车调压器 HID灯 金卤灯 LED灯 开关电源 锂电池保护,适用于多个领域

•封装形式:TO-220

•导通电阻RDS(ON)=1.2Ω

•VDS=600V

•ID=4.6A

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

•耗散功率:92.5W

 

 

品牌/型号

MagnaChip美格纳半导体/MDP4N60TH

种类

绝缘栅MOSFET

用途

UHF/超高频

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

材料

GE-N-FET锗N沟道

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型