产品详情

安森美功率MOS管——MTD6N20E

地区：上海 上海市
认证： 无

上海贝臣电子有限公司

金牌会员14年

全部产品 进入商铺

 N−Channel  6Amps 200 Volts Power MOSFET

 •无铅包装

 •封装：DPAK(TO-252)

 •工作温度范围：-55 to 150°C

 •开启延迟时间：17.6ns

 •关断延迟时间：44ns

 •导通电阻: R=460mΩ

 •耗散功率： PD=50W

 

 

 

品牌/型号

ON/MTD6N20E

种类

绝缘栅MOSFET

用途

V-FET/V型槽MOS

封装外形

SMDSO/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

跨导

1500（μS）

极间电容

480（pF）

漏极电流

6000（mA）

耗散功率

50000（mW）

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型