仙童原装P沟道MOS——NDS352AP

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P-Channel 逻辑电平增强模式场效应晶体管

 

•工作温度范围:-55 ~ 150°C

•导通电阻:RDS(ON)=0.5Ω   @  VGS=-4.5V

•VDSS=-30V

•ID=0.9A

•封装形式:SuperSOT-3

 

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品牌/型号

FAIRCHILD/仙童/NDS352AP

种类

绝缘栅MOSFET

用途

S/开关

封装外形

SMDSO/表面封装

开启电压

2.5(V)

跨导

1900(μS)

极间电容

135(pF)

漏极电流

900(mA)

耗散功率

500(mW)

沟道类型

P沟道

导电方式

增强型