场效应管 SPP20N60C3
地区：广东 深圳
认证：
无
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产品属性
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| 品牌/商标 | infineon | 型号/规格 | SPP20N60C3 |
| 种类 | 结型(JFET) | 沟道类型 | N沟道 |
| 导电方式 | 耗尽型 | 用途 | MW/微波 |
| 封装外形 | CER-DIP/陶瓷直插 | 材料 | ALGaAS铝镓砷 |
| 开启电压 | 32（V） | 夹断电压 | 22（V） |
| 跨导 | 13（μS） | *间电容 | 21（pF） |
| 低频噪声系数 | 11（dB） | *大漏*电流 | 22（mA） |
| *大耗散功率 | 33（mW） |
制造商: Infineon
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS（导通）: 0.19 Ohm @ 10 V
汲*/源*击穿电压: 600 V
闸/源击穿电压: +/- 20 V
漏*连续电流: 20.7 A
功率耗散: 208000 mW
*大工作温度: + 150 C
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-220AB
封装: Tube
*小工作温度: - 55 C
*件号别名: SPP20N60C3XK
infineon
SPP20N60C3
