原装* *童场效应管 2N60*

*供应*童系列产品，品质*！*原装，*合ROHS*要求。MOSFET:场效应管FSC FQP50N06 FQP70N08 FQP65N06 FQP85N06 FQP90N08 FQP33N1 FQP55N10 FQP90N10V2 FQP46N15 FQP34N20 FQP34N20 FQP13N50 FQP18N50V2 FQP5N60C FQP6N80C FQP7N80 FQP4N90 FQP4N90C FQP5N90 FQP6N90C FQA160N08 FQA70N10 FQA140N10 FQA70N15 FQA90N15 FQA34N20 FQA48N20 FQA65N20 FQA17N40 FQA35N40 FQA62N25C FQA17N40 FQA35N40 FQA16N50 FQA24N50 FQA10N80 FQA13N80 FQA7N90 FQA9N90 FQA11N90C FQL40N50 SSH70N10A FQP9N90C FQA90N08 FQA55N25 FQA62N25C FQA28N50 FQA24N60 FQP12N60 FQP70N10 FQA38N30 FQP17P06 FQP47P06 FQP12P20 FQP*50 ISL9N304AP3 SFP9530/9540,SFP9630/9640,*童系列IGBT系列:FGA25N135AND,FGA25N120AND FGA15N120AND HGTG18N120BND HGTG11N120CND HGTG10N120BND HGTG5N120BND SGP10N60RUFD SGH15N60RUFD SGH20N60RUFD SGH30N60RUFD SGL50N60RUFD FGL60N100BNTD FGH40N6S2/DF FK60N6S2D FGA50N60LS SGP13N60UFD SGH23N60UFD SGH40N60UFD SGH80N60UFD SGL160N60UFD FGH50N3S2 FGL60N100BNTD FGH50N3S2 FGA50N60LS FMG2G100US60 FMG2G150US60 FMG2G300US60 FMG2G400US60 FMG2G50US120 FMG2G75US120 FSM10SH60 FSM15SH60 FSM20SM60A FSAM30SM60A SGP13N60UFD SGP23N60UFD SGP40N60UFD SGP80N60UFD SGP160N60UFD HGTG12N60A4D HGTG20N60A4D HGTG30N60A4D FGH40N6S2/D,FGK60N6S2D*快恢复二*管:RHRP8120,RHRP15120,RHRP30120,RHRG30120,RHRG75120.ISL9R860P2,ISL9R1560P2,ISL9K1560G3,ISL9R3060G3,ISL9K3060G3,ISL9R30120G2,FFH30US30DN,FFH50US60S,FFH30US30DN,FFH50US60S,FFPF06U20DN,,FFA15U20DN,FFA30U20DN,FFPF10U30DN,FFA15U40DN,FFA20U40DN,FFPF20U60S,FFPF10U60DN,FFA20U60DN,FFA30U60DN,FFA60U60DN.肖特基二*管:*RP1545N,*RA3045,FYP2010DN,FYP3010DN
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场效应管的分类和结构:

    
场效应管分结型、*缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，*缘栅型场效应管（JGFET）则因栅*与其它电***缘而得名。目
前在*缘栅型场效应管中，应用*为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和
VMOS功率场效应管，以及*近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和*缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，*缘栅型
场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类

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