**FQA38N30 *童优势场效应管

**场效应管 FQA38N30  【*童优势供应】

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FQA38N30产品规格  参数

数据列表 FQA38N30
 
产品培训模块 High Voltage Switches for Power Processing
 
产品变化通告 Product Discontinuation 14/Mar/2011
 
标准包装 30
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 QFET™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 300V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 38.4A
 
开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C 85 毫欧 @ 19.2A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)（*大） 5V @ 250µA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 120nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  4400pF @ 25V
 
功率 - *大 290W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-*-3, SC-65-3
 
供应商设备封装 TO-*N
 
包装 管件
 

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