供应原装2SK2611 东芝场效应管

地区:广东 深圳
认证:

深圳市福田区宏诚辉电子商行

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制造商:  Toshiba   
 
产品种类:  MOSFET 功率   
 
RoHS:   详细信息  
 
配置:  Single   
 
晶体管*性:  N-Channel   
 
电阻汲*/源* RDS(导通):  1.4 Ohm @ 10 V   
 
汲*/源*击穿电压:  900 V   
 
闸/源击穿电压:  30 V   
 
漏*连续电流:  9 A   
 
功率耗散:  150000 mW   
 
安装风格:  Through Hole   
 
封装 / 箱体:  TO-*N   
 
封装:  Tube  
 

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

型号/规格

2SK2611

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

耗尽型

用途

A/宽频带放大

封装外形

SP/*外形

材料

ALGaAS铝镓砷

开启电压

10(V)

夹断电压

30(V)

*间电容

原厂(pF)

低频噪声系数

原厂(dB)

漏*电流

原厂(mA)

耗散功率

150000(mW)