供应原装2SK2611 东芝场效应管
地区:广东 深圳
认证:
无
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产品属性
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制造商: Toshiba
产品种类: MOSFET 功率
RoHS: 详细信息
配置: Single
晶体管*性: N-Channel
电阻汲*/源* RDS(导通): 1.4 Ohm @ 10 V
汲*/源*击穿电压: 900 V
闸/源击穿电压: 30 V
漏*连续电流: 9 A
功率耗散: 150000 mW
安装风格: Through Hole
封装 / 箱体: TO-*N
封装: Tube
TOSHIBA/东芝
2SK2611
*缘栅(MOSFET)
N沟道
耗尽型
A/宽频带放大
SP/*外形
ALGaAS铝镓砷
10(V)
30(V)
原厂(pF)
原厂(dB)
原厂(mA)
150000(mW)