2SK3565高压场效应管

地区:广东 深圳
认证:

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TOSHIBA东芝*原装正品集成电路 2SK3565  K3565

 

TOSHIBA东芝*原装正品集成电路 2SK3565  K3565

 

2SK3565  K3565产品规格  参数

 

数据列表 2SK3565
Mosfets Prod Guide
 
产品相片 2SK3565(Q,M)
 
产品目录绘图 TO-220SIS Side 3
TO-220SIS Side 2
TO-220SIS Side 1
 
标准包装 500
类别 分离式半导体产品
家庭 FET - 单
系列 -
FET 型 MOSFET N 通道,金属氧化物
 
FET 特点 标准型
 
漏*至源*电压(Vdss) 900V
 
电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C 5A
 
开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C 2.5 欧姆 @ 3A, 10V
 
Id 时的 Vgs(th)(*大) 4V @ 1mA
 
闸电荷(Qg) @ Vgs 28nC @ 10V
 
在 Vds 时的输入电容(Ciss)  1150pF @ 25V
 
功率 - *大 45W
 
安装类型 通孔
 
封装/外壳 TO-220-3 整包
 
供应商设备封装 TO-220SIS
 
包装 管件
 
产品目录页面 1654 (CN2011-ZH PDF)
 
其它名称 2SK3565(Q)
2SK3565(Q)-ND
2SK3565Q
2SK3565Q-ND
2SK3565QM
 

封装外形

CER-DIP/陶瓷直插

型号/规格

2SK3565

材料

N-FET硅N沟道

用途

SW-REG/开关电源

品牌/商标

TOSHIBA/东芝

沟道类型

N沟道

种类

*缘栅(MOSFET)

导电方式

增强型